損失成分を持つ素子と内部構造について
損失解析では電力が発生する素子を対象に解析が実行されます。
ここでは各素子の持つ内部構造と損失成分の一覧表を記載しております。
解析結果が表示される損失解析リスト、損失比較リストに表示されている項目が
どのような損失成分かを確認する時にご確認ください。
なお、下記以外の素子は電力を発生しない素子として定義されています。
Resistor
Inductor
| 内部要素 |
損失名 |
| ESR |
等価直列抵抗損失 |
| ＊Core |
コア損失 |
| I |
インダクタンス蓄積電力 |
Capacitor
| 内部要素 |
損失名 |
| ESR |
等価直列抵抗損失 |
| I |
キャパシタンス蓄積電力 |
| ESL |
等価直列インダクタンス蓄積電力 |
Nch FET
| 内部要素 |
損失名 |
| Sw |
スイッチ |
| Id |
ドレイン電流 |
| *ON |
オン抵抗損失 |
| *TurnON |
ターンオン損失 |
| *TurnOFF |
ターンオフ損失 |
| Rg |
ゲート抵抗損失 |
| Db |
ボディダイオード |
| I |
オン抵抗損失 |
| Von |
オン電圧損失 |
| Coss |
出力容量 |
| ESR |
等価直列抵抗損失 |
| I |
キャパシタンス蓄積電力 |
| Ciss |
入力容量蓄積電力 |
Nch IGBT
| 内部要素 |
損失名 |
| Sw |
スイッチ |
| Jce |
コレクタ・エミッタ要素 |
| Ic |
コレクタ電流 |
| *ON |
オン抵抗損失 |
| *TurnON |
ターンオン損失 |
| *TurnOFF |
ターンオフ損失 |
| Von |
オン電圧損失 |
| Rg |
ゲート抵抗損失 |
| Db |
ボディダイオード |
| I |
オン抵抗損失 |
| Von |
オン電圧損失 |
| Coss |
出力容量 |
| ESR |
等価直列抵抗損失 |
| I |
キャパシタンス蓄積電力 |
| Ciss |
入力容量蓄積電力 |
Switch
PWM Switch
Nch MOSFET、Pch MOSFET
NPN Transistor、PNP Transistor
| 内部要素 |
損失名 |
| 素子シンボル |
コレクタ損失 |
| %Db |
ベース・エミッタ要素 |
| I |
オン抵抗損失 |
| Von |
ベースエミッタ電圧損失 |
Diode
| 内部要素 |
損失名 |
| I |
オン抵抗損失 |
| Von |
オン電圧損失 |
Diode Bridge
| 内部要素 |
損失名 |
| Dn |
ダイオードｎ＝1~4 |
| I |
オン抵抗損失 |
| Von |
オン電圧損失 |
3 Phase Bridge
| 内部要素 |
損失名 |
| Dn |
ダイオードｎ＝1~6 |
| I |
オン抵抗損失 |
| Von |
オン電圧損失 |
Thyristor
Winding
Winding-L
| 内部要素 |
損失名 |
| ESR |
巻線損失 |
| I |
巻線インダクタンス蓄積電力 |
Mutual Core
3 Phase Y-Y、3 Phase Y-D、3 Phase D-D
| 内部要素 |
損失名 |
| Tn |
変圧器n=1~3 |
| Wp |
一時巻線 |
| I |
巻線損失 |
| Ws |
二次巻線 |
| I |
巻線損失 |
PWR
Custom
| 内部要素 |
損失名 |
| カスタム回路構成素子が内部要素となる |
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