詳細 Pch Si/SiC-FET[Detail Pch Si/SiC-FET]¶
Location :
Switching Device/Detail Pch Si/SiC-FET
外形¶
説明¶
Detail Pch Si/SiC-FETは詳細解析においてスイッチング特性を解析するための素子です。
Detail Pch Si/SiC-FETはPch型のSi-MOSFETまたは、SiC-MOSFET専用の素子です。
内部回路は以下の要素で構成されています。
- Sw：内部理想スイッチ
- Ciss：入力容量
- Coss：出力容量
- Crss：帰還容量
- Rcds:ドレインソース容量の等価抵抗
- Rg：ゲート抵抗
- Db：ボディダイオード
- Sw.Id：ドレイン電流プローブ
- Vgs：内部ゲート・ソース間電圧プローブ
- VgsOut：ゲート・ソース間電圧プローブ
- Vds：内部ドレイン・ソース間電圧プローブ
- VdsOut：ドレイン・ソース間電圧プローブ
- Lg：ゲートインダクタ
- Rlg:ゲートインダクタ並列抵抗
- Ld：ドレインインダクタ
- Rld:ドレインインダクタ並列抵抗
- Ls：ソースインダクタ
- Rls:ソースインダクタ並列抵抗
Note
Scideamの詳細スイッチモデルでは通常、設定した素子パラメータを満たすような帰還容量Crssを想定して解析を行っております。
このCrssの効果に対して、次の2つのモデルが使用可能となっております。
- ミラー容量としてCissに反映したモデル
- 内部構造に実際にCrssが接続されたモデルが使用可能です。
これらのモデルの切り替えはDetail Switch Settingにて行うことができます。
スペック¶
Detail Pch Si/SiC-FETは共通で下記の構成・特性・パラメータを持つ素子となります。
パラメータの設定につきましてはDetail Nch Si/SiC-FETを参照してください。