詳細 Pch IGBT[Detail Pch IGBT]

Location :
Switch/Detail Pch IGBT

外形

説明

Detail Pch IGBTは損失解析においてスイッチング損失を解析するために使用する素子です。

Detail Pch IGBTはPch型のIGBTスイッチ素子です。

内部ブロックは以下のように構成されます。
なお、DidealはVonとRonがともに0である理想ダイオードです。
Didealにより、スイッチがオンしていても逆向きに電流が流れないというIGBTの振る舞いを実現しています。
(逆バイアスされた場合にはボディダイオードDbを通ります。)

• Sw：内部理想スイッチ
• Cies：入力容量
• Coes：出力容量
• Cres：帰還容量
• Rcce:出力容量の等価抵抗
• Rg：ゲート抵抗
• Dideal：理想ダイオード
• Db：ボディダイオード
• Sw.Jce.Ic：コレクタ電流プローブ
• Vge：内部ゲート・エミッタ間電圧プローブ
• VgeOut：ゲート・エミッタ間電圧プローブ
• Vce：内部コレクタ・エミッタ間電圧プローブ
• VceOut：コレクタ・エミッタ間電圧プローブ
• Lg：ゲートインダクタ
• Rlg:ゲートインダクタ並列抵抗
• Lc：コレクタインダクタ
• Rlc:コレクタインダクタ並列抵抗
• Le：エミッタインダクタ
• Rle:エミッタインダクタ並列抵抗

Note

Scideamの詳細IGBTモデルでは通常、内部回路に帰還容量Cresを含んだモデルで解析を行っております。
内部構造にCresが含まれない詳細IGBTモデルを使用したい場合にはDetail Switch Settingにてモデルの切り替えを行うことができます。

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スペック

Detail Nch IGBT,Detail Pch IGBTは共通で下記の構成・特性・パラメータを持つ素子となります。
パラメータの設定につきましてはDetail Nch IGBTを参照してください。