Detail Switch Setting¶
機能説明¶
Detail Switch SettingではScideamの詳細スイッチモデルに関する設定を変更することができます。
Detail Switch Settingはコンフィグエディタから開くことができます。
FET¶
内部ブロックの帰還容量Crss有効化¶
チェックを入れることで、FET素子の内部ブロックに帰還容量Crssを含んだ回路として扱います。
内部回路は下図のようになります。
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Crssチェック無しの場合
Crssは素子の内部に含まれないモデルとなり、ドレイン電流の傾きを調整するために、アクティブ領域においてFETの入力容量がミラー効果によって増加するモデルとなります。
そのため、内部ブロックにCrssが素子として構成されず、高速なシミュレーションを行うことができます。 -
Crssチェック有りの場合
Crssは素子の内部に含まれており、アクティブ領域において、ミラー効果が発生します。Crssの容量は素子パラメータにより自動的に設定され、スイッチの電圧電流によって動的に変更されます。
そのため解析時間が長くなる可能性がありますが、詳細なシミュレーションを行うことができます。
Note
Crssは詳細解析時のみ適用されます。
IGBT¶
内部ブロックの帰還容量Cres有効化¶
チェックを入れることでIGBT素子の内部ブロックに帰還容量Cresを含んだ回路として扱います。
内部回路は下図のように変化致します。
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Cresチェック無しの場合
Cresは素子の内部に含まれないモデルとなります。
そのため、高速なシミュレーションを行うことができます。 -
Cresチェック有りの場合
Cresは素子の内部に含まれており、アクティブ領域において、ミラー効果が発生します。Cresの容量は素子パラメータにより自動的に設定され、スイッチの電圧電流によって動的に変更されます。
そのため解析時間が長くなる可能性がありますが、詳細なシミュレーションを行うことができます。
Note
Cresは詳細解析時のみ適用されます。
Note
IGBT素子のパラメータReverse Transfer Capacitance(Cres) at 20[V]はCresにチェックが入っているときのみ適用されるパラメータとなります。
テール電流モデルの選択¶
IGBT素子にはターンオフ時のテール電流が流れている期間において2つの解析モードが用意されており、Detail Switch Settingにて切り替えることができます。
詳細損失解析でのモード¶
Mode1は解析速度の速いモードで、デフォルトではこちらのモードが選択されております。
Mode1テールのパラメータとして設定された値を用いて、解析的（式で）にテール電流を含んだ損失を計算します。
波形解析から損失計算を行わないため、高速で十分な精度をもって解析が行われますが、Mode2と比較すると精度が若干低下します。
Mode2は詳細波形より損失を計算するモードとなります。
通常、テール期間は非常に長いため解析時間も長くなりますが精度は上がります。
Waveform解析(詳細スイッチ)でのモード¶
Mode1は解析ステップ時間(刻み幅)を長くとり大まかな波形を計算し出力します。
解析ステップ数が少なくなるため高速に解析することができますが、出力される波形は階段状になります。
高速に解析を行い概形把握のための用途で使用することを想定しているモードとなります。
Mode2はテール電流がテール特性開始時の10%になるまでの間、解析ステップ時間に調整を加えず、Scideamのアルゴリズムに従って詳細な波形解析を行います。
通常、テール期間は非常に長いため解析時間も長くなりますが詳細な波形を出力することができます。
