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◆GaNとSiC素子の追加◆
GaNとSiCに対応した素子が追加されました。これにより高性能な電源回路解析が可能となります。GaN素子とSiC素子にはそれぞれケルビンソース端子が備わったタイプも用意されており、寄生インダクタンスを考慮した損失改善アプローチの検討が可能です。
 
◆FET型番からパラメータをインポート◆
従来手作業でデータシートから入力していたFETのパラメータですが、型番を指定することで素早く入力できるようになりました。バージョン2.8では Infineon Technologies製：904種類と、Rohm製：479種類の合計1,383種類のFETを取り揃えました。
 
◆フットプリント削減◆
ソフトウェア構成の見直しにより、フットプリントが大幅に削減されました。インストーラのサイズが約140MB削減され、さらに起動時のメモリ消費量も削減されました。
 
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